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DE400BUV 超高真空电子束蒸发镀膜系统

DE400BUV超高真空电子束蒸发镀膜系统配置一个多坩埚电子束蒸发源，可在基片蒸发沉积金属、半导体或介质材料，是制备lift-off工艺薄膜和低微材料的理想平台

 

特点

可选等离子体基片清洗

可选基片氧化

 

主要配置

蒸发腔体

不锈钢腔体

真空泵

蒸发室配备分子泵或冷凝泵和无油机械泵

真空阀门

高真空阀门

真空测量

宽量程真空计

 蒸发源

多坩埚电子束蒸发源

样品台

自转基片台

可选可倾角和自转基片台

(可选加热至800℃)

(可选冷却至-150℃)

膜厚检测

晶振速率膜厚监控

 

主要技术指标

极限真空度

5E-9Torr

基片尺寸

可选：2英寸，4英寸，6英寸

膜厚均匀性

优于+/-3% 

 蒸发速率分辨率

 0.01 A/s

膜厚分辨率

0.1A

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