特点

• · 用于中试和量产
• · 多个溅射源
• · 可溅射金属、半导体、介质材料及磁性材料
• · 可溅射单层膜、多层膜或共溅合金薄膜或反应溅射
• · PID下游或上游压力控制
• · 可选离子源辅助沉积
• · 可选RF等离子体或离子源基片清洗
• · 可选基片氧化
• · 整套系统通过工控机和PLC实现全自动控制

溅射腔体

不锈钢腔体

真空泵

分子泵(或冷凝泵)和干泵

真空阀

高真空插板阀

真空测量

宽量程真空计

溅射源

多个磁控溅射阴极

可配DC、Pulse DC、RF、HIPIMS电源

基片台

基片可旋转，可选加热或冷却

压力控制

多路气体配流量计和压力计，PID溅射压力控制

可选薄膜监控

晶振膜厚/速率监控

可选预真空室

基片自动传递

极限真空压力

＜9E-8Torr

基片尺寸

可选：3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸

可选基片加热至

600℃

片内膜厚均匀性

≤+/-3%

片间膜厚重复性

≤+/-2%