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DE400DUL 超高真空电子束蒸发镀膜系统

DE400DUL超高真空电子束蒸发镀膜系统配置一个多坩埚电子束蒸发源，可在基片蒸发沉积金属、半导体或介质材料，是制备lift-off工艺薄膜和低微材料的理想平台。

特点

可选RF等离子体或离子源基片清洗 

可选基片氧化

 

主要配置

蒸发腔体

不锈钢腔体

真空泵蒸发室配备分子泵或冷凝泵和无油机械泵
真空阀门高真空阀门
真空测量宽量程真空计
蒸发源多坩埚电子束蒸发源
样品台

自转基片台

可选可倾角和自转基片台

(可选加热至600℃或900℃)

(可选冷却至-150度)

膜厚检测晶振速率膜厚监控
预真空样品室

单基片或多基片装载能力

全自动送样

 主要技术指标

极限真空度＜5E-9Torr（可选5E-10Torr）
基片尺寸可选：2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
膜厚均匀性优于+/-3%
蒸发速率分辨率0.01 A/s
 膜厚分辨率0.1A

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DE400DHL 电子束蒸发镀膜系统

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