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DE600CL 多电子枪蒸发镀膜系统

DE600CL 多电子枪蒸发镀膜系统配置三（四或六）个电子束蒸发源，可在基片共蒸发金属、半导体或介质材料。

 

特点

可选等离子体基片清洗

可选基片氧化

典型应用

用于薄膜沉积研发

LIFT-OFF工艺的理想平台

可蒸发金属，半导体或介质材料

可蒸发磁性材料

可多源共蒸发

 主要配置

蒸发腔体

不锈钢腔体

真空泵

蒸发室配备分子泵或冷凝泵和无油机械泵

真空阀门

高真空阀门

真空测量

宽量程真空计

蒸发源

三（四或六）个电子束蒸发源

样品台

自转基片台

可选可倾角和自转基片台

(可选加热至600℃)

(可选冷却至-150℃)

膜厚检测

晶振速率膜厚监控

预真空样品室

单基片或多基片装载能力

 主要技术指标

极限真空度

3E-8Torr

基片尺寸

可选：2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸

膜厚均匀性

优于+/-3% 

蒸发速率分辨率

0.01 A/s

膜厚分辨率

0.1A

 

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DE500P 中试-量产 电子束蒸发镀膜系统

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