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电子束蒸发真空镀膜系统
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DE600C 电子束蒸发镀膜系统配置三(四或六)个电子束蒸发源,可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料
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DE400P电子束蒸发镀膜系统配备电子束蒸发源或热阻蒸发源,用于沉积金属或介质薄膜及lift-off工艺薄膜沉积
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DE500P 电子束蒸发镀膜系统配置两个电子束蒸发源,可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料
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DE600P 电子束蒸发镀膜系统配置三(四或六)个电子束蒸发源,可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料
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