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DE4500 磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统
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DE4500 磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统

DE4500磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统包括溅射腔体、电子束和热蒸发腔体以及样品室,可用于溅射或蒸发金属、半导体、介质和低温有机材料,用于制备单层或多层薄膜材料,是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台

DE4500磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统包括溅射腔体、电子束和热蒸发腔体以及样品室,可用于溅射或蒸发金属、半导体、介质和低温有机材料,用于制备单层或多层薄膜材料,是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台

 

特点

样品可以在真空状态下在磁控溅射腔、蒸发腔和LOAD LOCK腔体间传送

优秀的薄膜均匀性和重复性

通过电脑全自动控制或手动控制操作 (整体操作或每个腔体独立工作)

 

主要配置

镀膜腔室 腔体为304不锈钢,并有观察窗 
真空泵 配备分子泵(或冷凝泵)和机械泵
真空阀门

气动控制高真空和隔离插板阀门

腔体充气阀门,粗抽和前级角阀,气体截止阀

溅射源

多达6个2 到4英寸圆形磁控溅射源

每个源配备气动挡板

电源可以配备直流,脉冲直流或射频电源

蒸发源

一个旋转导位的多坩埚电子束蒸发源

高压电源

可编程束斑扫描器

可选配热蒸发源

样品台

样品台可自转

可加热至900℃

最大8英寸基片

真空测量 宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计
压力控制

多路流量计

一个压力计实现溅射压力控制

膜厚监控 标准晶振膜厚控制仪
预真空样品室

极限真空优于5E-7torr 

单基片或多基片装载能力

三个腔体间自动样品传递

通氧反应

基片射频等离子体清洗

基片加热至600℃

 

主要技术指标

镀膜腔体极限真空度 优于5E-8Torr
膜厚均匀性 在8英寸基片上的膜厚均匀性优于+/-3%
蒸发速率分辨率 0.01 A/s
膜厚分辨率 0.1A

 

产品描述

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