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DE4500 磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统
DE4500无背景(1)
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DE4500 磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统

DE4500磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统包括溅射腔体、电子束和热蒸发腔体以及样品室,可用于溅射或蒸发金属、半导体、介质和低温有机材料,用于制备单层或多层薄膜材料,是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台

DE4500磁控溅射和蒸发薄膜沉积系统包括溅射腔体、电子束和热蒸发腔体以及样品室,可用于溅射或蒸发金属、半导体、介质和低温有机材料,用于制备单层或多层薄膜材料,是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台

 

特点

样品可以在真空状态下在磁控溅射腔、蒸发腔和LOAD LOCK腔体间传送

优秀的薄膜均匀性和重复性

通过电脑全自动控制或手动控制操作 (整体操作或每个腔体独立工作)

 

主要配置

镀膜腔室 腔体为304不锈钢,并有观察窗 
真空泵 配备分子泵(或冷凝泵)和机械泵
真空阀门

气动控制高真空和隔离插板阀门

腔体充气阀门,粗抽和前级角阀,气体截止阀

溅射源

多达6个2 到4英寸圆形磁控溅射源

每个源配备气动挡板

电源可以配备直流,脉冲直流或射频电源

蒸发源

一个旋转导位的多坩埚电子束蒸发源

高压电源

可编程束斑扫描器

可选配热蒸发源

样品台

样品台可自转

可加热至1000度

最大6英寸基片装载能力

真空测量 宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计
压力控制

多路流量计

一个压力计实现溅射压力控制

膜厚监控 标准晶振膜厚控制仪
预真空样品室

极限真空优于5E-7torr 

单基片或多基片装载能力

三个腔体间自动样品传递

通氧反应

基片射频等离子体清洗

基片加热至600度

 

主要技术指标

镀膜腔体极限真空度 优于5E-8Torr
膜厚均匀性 在6英寸基片上的膜厚均匀性优于+/-3%
蒸发速率分辨率 0.01 A/s
膜厚分辨率 0.1A

 

产品描述

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