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DE500CL 电子束蒸发镀膜系统
DE400C电子束蒸发薄膜沉积系统001
DE400C电子束蒸发薄膜沉积系统001

DE500CL 电子束蒸发镀膜系统

DE500CL 电子束蒸发镀膜系统配置两个电子束蒸发源,可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料

DE500CL 电子束蒸发镀膜系统配置两个电子束蒸发源,可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料。

 

特点

蒸发腔体胶圈密封前开门便于腔体内部操作

基片挡板开启由膜厚仪闭环控制

可选配LOAD LOCK内等离子体或离子源基片清洗

可选配LOAD LOCK内基片氧化

系统安全互锁

计算机控制全自动或手动操作

典型应用

用于薄膜沉积研发

LIFT-OFF工艺的理想平台

可蒸发金属,半导体或介质材料

可蒸发磁性材料

可双源共蒸发

 

主要配置

蒸发腔体 304不锈钢,前开门并有观察窗
真空泵 蒸发室配备分子泵或冷凝泵和无油机械泵
真空阀门 气动控制高真空阀门
真空测量 宽量程真空计用于测量真空和粗抽计
蒸发源 两个电子束蒸发源
样品台

顶部安装的自转基片台 

可选可倾角和自转基片台 

(可选加热至600度)

(可选冷却至-150度)

膜厚检测 晶振速率膜厚监控
可选样品准备室 304不锈钢,前开门并有观察窗

 

主要技术指标

极限真空度 3E-8Torr
装样能力 一个最大英寸的平板基片或多个小片  
膜厚均匀性 在4英寸基片上为+/-2% 
蒸发速率分辨率 0.01 A/s
膜厚分辨率 0.1A

 

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