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DE400DHL 电子束蒸发镀膜系统
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DE400DHL 电子束蒸发镀膜系统

DE400DHL电子束蒸发镀膜系统配置一个多坩埚电子束蒸发源,可在基片蒸发沉积金属、半导体或介质材料,是制备lift-off工艺薄膜和低微材料的理想平台。

DE400DHL电子束蒸发镀膜系统配置一个多坩埚电子束蒸发源,可在基片蒸发沉积金属、半导体或介质材料,是制备lift-off工艺薄膜和低微材料的理想平台。

特点

蒸发腔体胶圈密封前开门便于腔体内部操作 

基片挡板开启由膜厚仪闭环控制 

可选RF等离子体或离子源基片清洗

可选基片氧化 

系统安全互锁

计算机控制全自动或手动操作

 

主要配置

蒸发腔体 304不锈钢,前开门并有观察窗
真空泵 蒸发室配备分子泵或冷凝泵和无油机械泵
真空阀门  气动控制高真空阀门
真空测量  宽量程真空计用于测量真空和粗抽计

蒸发源

多坩埚电子束蒸发源自动导位
样品台

自转基片台

可选可倾角和自转基片台

(可选加热至900℃)

(可选冷却至-150℃)

膜厚检测 晶振速率膜厚监控
预真空样品室

单基片或多基片装载能力

全自动送样

 

主要技术指标

极限真空度 3E-8 Torr
基片尺寸 可选:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
膜厚均匀性 优于+/-3%
蒸发速率分辨率 0.01 A/s
膜厚分辨率 0.1 A
产品描述

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