DE600DL 磁控溅射系统

DE600DL磁控溅射系统配备多个磁控溅射源，可在最大8英寸基片上沉积金属、半导体、介质材料. 可用于溅射多层薄膜和共溅合金薄膜。是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台

DE600DL磁控溅射系统配备多个磁控溅射源，可在最大8英寸基片上沉积金属、半导体、介质材料. 可用于溅射多层薄膜和共溅合金薄膜。是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台。

特点	溅射镀膜腔体前开门，便于内部操作 PID下游和上游压力控制良好的薄膜均匀性和重复性关键部件安全互锁保护

主要配置

镀膜腔室	腔体为304不锈钢，并有观察窗
真空泵	分子泵(或冷凝泵）和干泵
真空阀门	高真空插板阀门腔体充气阀门，粗抽和前级角阀，气体截止阀
真空测量	宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计
溅射源	多达到6个4英寸圆形磁控溅射源电源可以配备直流，脉冲直流或射频电源
样品台	样品台旋转加热或冷却
压力控制	多路气体由流量计一个压力计实现溅射压力PID控制
冷水安全互锁	溅射源冷却水路配水流传感器对溅射源安全互锁保护
预真空样品室	极限真空优于5E-7Torr 单基片或多基片装载能力可选射频等离子体清洗

主要技术指标