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基片倾角镀膜设备

 

产品技术特点

单电子枪或双电子枪

螺旋状薄膜沉积

LIFT-OFF工艺镀膜

低维材料制备

约瑟夫结制备

基片倾角>±90º

基片尺寸可选:2英寸、4英寸、6英寸

膜厚均匀性<±3%

基片可加热600℃+自转

基片可冷却至110K+自转,可选控温

基片倾角+自转

多坩埚电子枪

可蒸镀金属、半导体、介质材料

真空度<5E-8Torr(可选9E-9、5E-9或9E-10Torr)

可选RF等离子体清洗

可选离子束清洗

可选基片氧化处理

可选楔形膜工艺

PLC+工控PC全自动控制

 

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